Mikroobwód potężnego tranzystora Darlingtona na przeciętym półprzewodnikowym krzemowym płytce wielowarstwowym, półprzewodnikowym chipie jest kryształem mikroobwodu bez opakowania.
Informacje o pliku:
| Numer pliku: | 0101547454030 |
| Typ pliku/format: | Zdjęcia ( JPG ) |
| Rozdzielczość: | 3800x3800 (32,17x32,17 cm 300 dpi) |
| Kategorie: | |
| Autor: | Slava64 |
podobne obrazy
ta sama seria
Ten sam autor
INFORMACJE O UŻYCIU:
Zdjęcie "Mikroobwód potężnego tranzystora Darlingtona na przeciętym półprzewodnikowym krzemowym płytce wielowarstwowym, półprzewodnikowym chipie jest kryształem mikroobwodu bez opakowania." może być wykorzystywane do celów osobistych i komercyjnych zgodnie z warunkami zakupionej licencji Royalty-free. Obraz jest dostępny do pobrania w jakości wysokiej rozdzielczości do 5760x3840.
Słowa kluczowe:
Drogie
Kontekst
Zbliżenie
kryształ
Izolacja
Płyta
ochrona
czarny
prąd
napięcie
cięcie
Struktura
kruche
Czysty
wzmocnienie
Szary
Częstotliwość
Izolowanie
Aluminium
Program pomocy
Złożone
Chip
krzemu
Półprzewodnik
Podział
Tranzystor
integralną
wielowarstwowe
Dwubiegunowe
german
czarne tło
Widok z góry
krzemowych
Darlington
stół granitowy
metalizacji
100 mm
gallium arsenide
epitaxial
silicon oxide
p n junction
silicon nitride
composite transistor
in one microcircuit
powerful bipolar transistor
300 microns
